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一、前言多电平逆变器，是一种新型逆变器。常规逆变器，在单桥臂上采用单个开关器件。多电平逆变器在单桥臂上包含多个串联开关器件，能够精细地控制输出电压。将逆变输出的正弦波进行微分，微分数量越多，越接近正弦波。常见的多电平逆变器有三、五、七电平等
5月6日，全球知名EDA及半导体厂商新思科技（英文名：Synopsys）宣布已经与Clearlake Capital和Francisco Partners领导的私募股权财团达成最终协议，将以21亿美元（约151.61亿人民币）出售其软件完整
如果要说全球芯片先进制程，排在第一一定是中国台湾区域，其次日韩、美国等，中国虽然半导体行业发展蓬勃，但目前是以成熟制程为主。近日，美国半导体协会（SIA）和波士顿顾问公司（BCG）联合发布数据报告，其中显示：随着美国“芯片法案”的推出，预计
提起中国晶圆代工厂商，人们第一时间想到的是中芯国际，虽然早已被美国列入实体清单，但依然还是中国优秀的晶圆代工厂之一。近日，中芯国际（股票代码 HK:00981，SH:688981）发布2024年第一季度财报。统计期内，中芯国际营收达17.5
在半导体制造中，硅片是芯片制造的基础材料，其规格和特性对最终产品的性能至关重要，但如果了解硅片的设计，很容易发现2、4、6寸硅片经常留有旁边（Flat）设计，这是为什么？1、平边（Flat）是什么？平边，也叫做定位边，是硅片上被刻意切割出一
一、前言RSC6218A是一款可以满足4项标准的优秀产品：①2024年8月1日要实施的《建筑照明设计标准》GBT0034-2024；②2024年07月01日起实施的《电磁兼容限值 第1部分：谐波电流发射限值（设备每相输入电流≤16A）》GB
N型半导体是一种掺杂了杂质元素的半导体材料，其中杂质元素通常是五价元素，如磷（P）、砷（As）或锑（Sb）。这些杂质元素会在晶格中替代半导体晶体中的原子，形成N型半导体。N型半导体具有自由电子浓度较高的特点，因此它们的导电能力较强。01N型
为了提高本国的半导体制造能力，许多国家政府及企业推出一系列政策法规，目前全球半导体制造能力最强的是欧美国家、中国台湾、日韩等。Intel CEO帕特·基辛格在近期举办的2023-2024年度企业社会责任（CSR）报告中，提出了一个宏伟的目标
随着半导体技术的飞速发展，新型半导体材料不断涌现，其中SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为其中的佼佼者，正逐步改变着我们的技术世界。本文旨在探讨这两种材料的特性以及它们之间的主要区别。1、SiC和GaN是什么？碳化硅（SiC）：碳化硅是一
第三代半导体材料是指以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带隙宽度)≥2.3eV的宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽
